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DMP2123L	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123L	文件：193.29 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON): •72mΩ@VGS=-4.5V •108mΩ@VGS=-2.7V •123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4)	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMP2123L-7	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123LQ	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123LQ	文件：1.94327 Mbytes Page：5 Pages	-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMP2123LQ GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DMP2123LQ-13	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123LQ-7	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E2123S	文件：74.24 Kbytes Page：1 Pages	3C207/28BCFLEXOASFLEXSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
ECQB2123MF	文件：133.27 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ECQE2123	文件：352.09 Kbytes Page：19 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ECQE2123	文件：352.09 Kbytes Page：19 Pages	PlasticFilmCapacitors MetallizedPolyesterFilmCapacitor Non-inductiveconstructionusingmetallizedPolyesterfilmwithflameretardantepoxyresincoating ■Features •Self-healingproperty •Excellentelectricalcharacteristics •Flameretardantepoxyresincoating •RoHSdirectivecompliant ■RecommendedAp	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
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详细参数

型号：
DMP2123L
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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