| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)EDIP-24 |
6000 |
原装现货长期供货账期支持 |
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深圳市诺美思科技有限公司15年
留言
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8600 |
23+/24+ |
只供原装进口公司现货+可订货 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司11年
留言
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MAXIM(美信)EDIP-24 |
499 |
2021+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)EDIP24 |
7350 |
23+ |
原装进口,原厂直销!当天可交货,支持原型号开票! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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Maxim(美信)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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DALLASDIP |
256800 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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DALLASDIP |
55991 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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DALLASDIP |
19500 |
24+ |
DALLAS授权代理品牌进口原装现货假一赔十 |
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艾睿国际（香港）有限公司5年
留言
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MAXIM(美信)EDIP-24 |
315000 |
2117+ |
14个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Maxim Integrated24-EDIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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DALLASDIP |
56000 |
24+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市兴灿科技有限公司6年
留言
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Maxim24DIP |
2879 |
24+ |
原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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Maxim24DIP |
2879 |
24+ |
原装现货 |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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Maxim(美信)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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MAXIM |
35500 |
23+ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司5年
留言
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DALASSMODEL |
322 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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DALLASDIP |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)EDIP-24 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
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深圳市正纳电子有限公司8年
留言
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Maxim(美信)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIP |
68900 |
DALLAS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
DS1220AB-100IND+采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
DS1220AB-100IND+图片
DS1220AB-100IND+价格
DS1220AB-100IND+价格：￥59.0389品牌：Maxim
生产厂家品牌为Maxim的DS1220AB-100IND+多少钱，想知道DS1220AB-100IND+价格是多少？参考价：￥59.0389。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，DS1220AB-100IND+批发价格及采购报价，DS1220AB-100IND+销售排行榜及行情走势，DS1220AB-100IND+报价。
DS1220AB-100IND+中文资料Alldatasheet PDF
更多DS1220AB-100IND+功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
DS1220AB-100IND+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
16Kb（2K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
- 供应商器件封装：
24-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP