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DS1345WP-100

3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION TheDS1345W3.3V1024kNonvolatileSRAMisa1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1345WP-100-IND

3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION TheDS1345W3.3V1024kNonvolatileSRAMisa1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1345WP-100+

包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1345WP-100IND

包装:管件 封装/外壳:34-PowerCap™ 模块 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1345WP-100IND+

包装:卷带(TR) 封装/外壳:34-PowerCap™ 模块 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

详细参数

  • 型号:

    DS1345WP-100

  • 功能描述:

    NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Maxim Integrated

  • 数据总线宽度:

    8 bit

  • 存储容量:

    1024 Kbit

  • 组织:

    128 K x 8

  • 接口类型:

    Parallel

  • 访问时间:

    70 ns

  • 电源电压-最大:

    5.5 V

  • 电源电压-最小:

    4.5 V

  • 工作电流:

    85 mA

  • 最大工作温度:

    + 70 C

  • 最小工作温度:

    0 C

  • 封装/箱体:

    EDIP

  • 封装:

    Tube

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更多DS1345WP-100供应商 更新时间2024-11-24 14:02:00