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DS1330BL	文件：386.88 Kbytes Page：9 Pages	256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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DS1330BL-70	文件：219.54 Kbytes Page：9 Pages	256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS1330256KNonvolatileSRAMsare262,144–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsbyeightbits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
DS1330BL-70-IND	文件：219.54 Kbytes Page：9 Pages	256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS1330256KNonvolatileSRAMsare262,144–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsbyeightbits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
DS1330BL-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1330BL-70	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1330BL-70IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1330W	文件：107.99 Kbytes Page：11 Pages	3.3V256KNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor DESCRIPTION TheDS1330W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
DS1330W	文件：224.3 Kbytes Page：10 Pages	3.3V256kNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
DS1330Y	文件：217.66 Kbytes Page：10 Pages	256kNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
DS1330Y	文件：191.48 Kbytes Page：11 Pages	256kNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor DESCRIPTION TheDS1330256kNVSRAMsare262,144-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccurs,thelithiu	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
DS1330Y	文件：217.66 Kbytes Page：10 Pages	256kNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
DS1330YL	文件：219.54 Kbytes Page：9 Pages	256KNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor DESCRIPTION TheDS1330256KNonvolatileSRAMsare262,144–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsbyeightbits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
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DU1330	文件：377.75 Kbytes Page：3 Pages	SMDUnshieldedPowerInductorSeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
DZL1330A	文件：31.75 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSPECIALISTS	DCCOM Dc Components	DCCOM
EE-SX1330	文件：1.68839 Mbytes Page：6 Pages	Ultra-CompactSlot/SMDType	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
ENA1330	文件：100.25 Kbytes Page：12 Pages	CMOSICTwoWireSerialInterfaceEEPROM(64kEEPROM)	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
GPSGB1330	文件：1.82546 Mbytes Page：17 Pages	InternalActiveGPS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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详细参数

型号：
DS1330BL
功能描述：
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
150
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
4K(2 x 256 x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-VFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：
8-DFN（2x3）
包装：
管件
产品目录页面：
1445(CN2011-ZH PDF)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯斯宇科技有限公司	DS1330BL-70IND	MaximIntegratedProducts	2022	ICNVSRAM256KBIT70NS34LPM	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市星佑电子有限公司	DS1330BL-070	DALLAS	06+	模块/34	1	全新原装绝对有货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	DS1330BL-70IND	DALLAS	23+	LPM	65480		询价
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深圳市旺财半导体有限公司	DS1330BL-70IND	MAXIM	23+		35500		询价
深圳市创新迹电子有限公司	DS1330BL-70IND	Maxim Integrated	23+	34-LPM	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多DS1330BL供应商更新时间2024-11-24 16:18:00

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