| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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MaximIntegratedProductsICNVSRAM256KBIT70NS34LPM |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
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Maxim Integrated34-LPM |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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DALLASLPM |
65480 |
23+ |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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N/A |
52000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
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Maxim Integrated34-LPM |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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9350 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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Maxim Integrated34-LPM |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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MAXIM |
35500 |
23+ |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
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DALLASLPM |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市科雨电子有限公司5年
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MAXIM34-LPM |
1001 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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MaximIntegratedProductsICNVSRAM256KBIT70NS34LPM |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
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Maxim Integrated34-LPM |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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DALLASLPM |
65480 |
23+ |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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N/A |
47000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
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Maxim Integrated34-LPM |
56200 |
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一级代理/放心采购 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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9350 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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Maxim Integrated34-LPM |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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MAXIM |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
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DALLASLPM |
5177 |
23+ |
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深圳市科雨电子有限公司5年
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MAXIM34-LPM |
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DS1330BL-70采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
DS1330BL-70IND中文资料Alldatasheet PDF
更多DS1330BL-70功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K(2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445(CN2011-ZH PDF)
DS1330BL-70IND功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K(2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445(CN2011-ZH PDF)
DS1330BL-70-IND制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
产品属性
- 产品编号：
DS1330BL-70
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
70ns
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
34-LPM
- 供应商器件封装：
34-LPM
- 描述：
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM