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FFB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FJX2907	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907A	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907A	文件：45.56 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMBT2907	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor 600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Ascomplementarytype,theNPNtransistorFMBT2222/	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT2907A	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor 600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Ascomplementarytype,theNPNtransistorFMBT2222/	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT2907AW	文件：71.57 Kbytes Page：9 Pages	PNPSMDTransistor 600mAGeneralPurposeTransistorPNPSilicon Features •Highcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Capableof150mWpowerdissipation. •Lead-freepartsfor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
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FMMT2907AR	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES *Fastswitching COMPLIMENTARYTYPES-FMMT2907-FMMT2222 -FMMT2907A-FMMT2222A PARTMARKINGDETAIL-FMMT2907-2BZ FMMT2907A-2F FMMT2907R-4P	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT2907R	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES *Fastswitching COMPLIMENTARYTYPES-FMMT2907-FMMT2222 -FMMT2907A-FMMT2222A PARTMARKINGDETAIL-FMMT2907-2BZ FMMT2907A-2F FMMT2907R-4P	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FXT2907A	文件：68.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES 60VoltVCEO Fastswitching	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT2907	文件：39 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FZT2907A	文件：39 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
GES2907	文件：83.02 Kbytes Page：3 Pages	SILICONTRANSISTORS [GESS]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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晶体管资料

型号：
EN2907
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β=300
图片代号：
C-62
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EN2907供应商更新时间2024-11-26 14:10:00

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