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ENA2181A	文件：331.79 Kbytes Page：15 Pages	For Car Audio Systems Multi-Power Supply IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
GQ2181	文件：755.71 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPositiveVoltageRegulator	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GQ2181	文件：749.9 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPOSITIVEVOLTAGEREGULATOR Description TheGQ2181seriesofpositive,linearregulatorsfeaturelowquiescentcurrent(50μAtyp.)withlowdropoutvoltageandexcellentPSRR,thusmakingthemidealforTelecommunicationsandotherbatteryapplications. TheseruggeddeviceshavebothThermalShutdown,andCurrentFold-back	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
INA2181	文件：1.28308 Mbytes Page：34 Pages	INAx181Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA2181	文件：1.88302 Mbytes Page：49 Pages	Automotive,bidirectional,low-andhigh-sidevoltageoutput,current-senseamplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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INA2181	文件：1.4384 Mbytes Page：44 Pages	Automotive,Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA2181	文件：2.56681 Mbytes Page：62 Pages	INAx181Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers 1Features •Common-moderange(VCM):–0.2Vto+26V •Highbandwidth:350kHz(A1devices) •Offsetvoltage: –±150μV(maximum)atVCM=0V –±500μV(maximum)atVCM=12V •Outputslewrate:2V/μs •Bidirectionalcurrent-sensingcapability •Accuracy: –±1gainerror(maximum) –	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA2181	文件：2.31721 Mbytes Page：52 Pages	INAx181-Q1Automotive,Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers 1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°C≤TA≤125°C –HBMESDclassificationlevel2 –CDMESDclassificationlevelC6 •FunctionalSafety-Capable –Documentationavailabletoaidfunctionalsafety systemdesign •Common-moderange(VCM):–	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
IPP-2181	文件：72.76 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
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IR2181	文件：364.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRF International Rectifier	IRF
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IR2181	文件：445.59 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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更多ENA2181A供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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