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F6N80中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

F6N80
厂商型号

F6N80

功能描述

Ultra low gate charge

文件大小

831.19 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-25 9:53:00

F6N80规格书详情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

• Industry’s lowest RDS(on)

• Industry’s best figure of merit (FoM)

• Ultra low gate charge

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2022+
42
全新原装 货期两周
询价
ST/意法
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ST意法半导体
24+23+
TO-220F
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
询价
KERSEMI
23+
TO-220F
8400
专注配单,只做原装进口现货
询价
DONGHAI
23+
TO-220F
80000
原装正品,一级代理
询价
东海半导体
23+
NA
25
MOSFET
询价
ST/意法
23+
TO-220F
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
NIHON
2048+
TO220F
9851
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
NICE
23+
TO220
1871
专业优势供应
询价
ST/
22+23+
TO-220F
8000
新到现货,只做原装进口
询价