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GC1310	文件：290.19 Kbytes Page：4 Pages	ENHANCEDPERFORMANCESURFACEMOUNTEPSMPACKAGEDDEVICES DESCRIPTION OurEPSMpackageddevicesaredesignedforthemostdemandingcommercialandMilitaryrequirementswheretheinconsistentperformanceinherentinplasticsurfacemountpackagescannotbetolerated.Thesepackagestylesextendthesurfacemountconstructionformatto6GHzforhighper	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC1310	文件：158.2 Kbytes Page：3 Pages	ENHANCEDPERFORMANCESURFACEMOUNTEPSM?줙yperabruptVaractorDiodesTM	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GDT1310	文件：188.69 Kbytes Page：1 Pages	GateDriverTransformerType:GDT>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
GDT1310	文件：8.231559 Mbytes Page：156 Pages	GENERALPRODUCTSCATALOG	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
HMIGTO1310	文件：186.29 Kbytes Page：8 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,320x240pixelsQVGA,3.5TFT,96MB	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO1310FC	文件：96.03 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,3.5ColorTouchQVGATFT,coateddisplay	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO1310FCW	文件：101.09 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,3.5ColorTouchQVGATFT,coateddisplaywithoutlogo	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO1310FW	文件：101.07 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,3.5ColorTouchQVGATFT,logoremoved	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HW1310ALPL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HW1310BKPL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310AL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310BK	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HY1310D	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1310U	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1310V	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
IIRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1310N	文件：96.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1310NL	文件：156.84 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310NL	文件：1.16562 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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晶体管资料

型号：
FT1310
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
5V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSW38,BSX19,BSX20,BSX39,BSX39A,BSX87,BSX92,BSX93,3DG130A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
5
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	FT1310	MOT	22+	CAN3	5000	进口原装!现货库存	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	FT1310	VISHAY	24+	CAN	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
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更多FT1310供应商更新时间2024-11-26 16:10:00

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