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FDFMA2P853	文件：307.08 Kbytes Page：7 Pages	Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultra-portableapplications.ItfeaturesaMOSFETwithlowon-stateresistanceandanindependentlyconnectedlowforwardvoltageschottkydiodeformi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FDFMA2P853T	文件：357.06 Kbytes Page：8 Pages	Integrated P-Channel PowerTrench짰 MOSFET and Schottky Diode GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultra-portableapplications.ItfeaturesaMOSFETwithlowon-stateresistanceandanindependentlyconnectedlowforwardvoltageschottkydiodeformi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
FDFMA2P853
功能描述：
MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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