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深圳市汇莱威科技有限公司

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市芯皇电子有限公司

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深圳市天芯威科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市讯顺达科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童SOT363

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深圳市金华微盛电子有限公司

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ON/安森美SOT-363

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2019+

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童SOT363

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深圳市中福国际管理有限公司

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ONSEMI/安森美SOT-363

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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

深圳诚思涵科技有限公司

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进口原装现货/价格优势!

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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深圳市益百分电子有限公司

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FDG6306P功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG6306P_D87Z功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDG6306P_Q功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube