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FDS6912A中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

FDS6912A
厂商型号

FDS6912A

功能描述

30V Dual N-Channel MOSFET

文件大小

387.35 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 UMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

UMW友台半导体

中文名称

广东友台半导体有限公司(简称UMW®)官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-22 11:36:00

FDS6912A规格书详情

Features

• Fast switching speed

• Low gate charge

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• High power and current handling capability

(VGS = 10V)

VDS (V) = 30V

ID = 6A

RDS(ON) <28mΩ(VGS=10V)

RDS(ON) <35 mΩ(VGS=4.5V)

产品属性

  • 型号:

    FDS6912A

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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