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FMV13N60ES	文件：587.33 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
HFP13N60U	文件：201.03 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS13N60U	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
KF13N60N	文件：71.36 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=13A •Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
SGH13N60UFD	文件：308.44 Kbytes Page：8 Pages	FEATURES FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.95V(@Ic=6.5A) HighInputImpedance CO-PAK,IGBTwithFRD:Trr=37nS(typ.) APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters Robotics,ServoControls PowerSupply *LampBallast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UF	文件：537.15 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UF	文件：542.63 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UFD	文件：595.25 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses. TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeed	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UFTU	文件：542.63 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS13N60UF	文件：552.28 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS13N60UFD	文件：610.93 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW13N60UF	文件：536.83 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW13N60UFD	文件：595.64 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSS13N60B	文件：1.10799 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FMV13N60ES
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FMV13N60ES	TECCOR/LITT	23+	TO-218	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	FMV13N60ES	FUJITSU/富士通	21+	TO-220F	61	原装现货假一赔十	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	FMV13N60ES	FUJITSU/富士通	22+	TO-220F	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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深圳市创盛芯科技有限公司	FMV13N60ESFMV13N60EMOS(场效应管)	FUJITSU/富士通	24+	TO-220F	275	原装现货假一赔十	询价

更多FMV13N60ES供应商更新时间2024-11-22 10:24:00

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