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FSW20N50C	文件：1.38793 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI 16A,500V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FTW20N50A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HFA20N50U	文件：337.05 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFH20N50	文件：635.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HM20N50A	文件：792 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N50F	文件：868.91 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HRH20N50ANB	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N50ANF	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N50ANV	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N50ANW	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N50ANX	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
I20N50	文件：1.53702 Mbytes Page：11 Pages	20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
IRFB20N50K	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB20N50K	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB20N50K	文件：858.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB20N50K	文件：115.08 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharac	IRF International Rectifier	IRF
IRFB20N50K	文件：195.75 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB20N50K	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •LowRDS(on) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB20N50K	文件：371.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FSW20N90A	IPS	2022+	TO-3P	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳庞田科技有限公司	FSW20N90A	IPS	2023+	TO-3P	20000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FSW20N90A	IPS	2022+	TO-3P	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	FSW215265-50	SYNERGY	2018+	SMD	3000	SYNERGY专营射频芯片现货原装正品专营品牌	询价
深圳市湘达电子有限公司	FSW215265-50	SYNERGY	20+	NA	1000	全新原装现货,一片也是批量价。	询价
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更多FSW20N50C供应商更新时间2024-11-24 14:02:00

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