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G5851-13	文件：169.14 Kbytes Page：4 Pages	InGaAs PIN photodiode Longwavelengthtype Features •Longcut-offwavelength:1.9µm •3-pinTO-18package:lowprice •ThermoelectricallycooledTO-18package:lowdarkcurrent •Activearea:φ0.3toφ3mm Applications •Opticalpowermeter •Gasanalyzer •NIR(nearinfrared)photometr	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
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LOGO

G5851-13

文件：169.14 Kbytes

Page：4 Pages

InGaAs PIN photodiode

Longwavelengthtype Features •Longcut-offwavelength:1.9µm •3-pinTO-18package:lowprice •ThermoelectricallycooledTO-18package:lowdarkcurrent •Activearea:φ0.3toφ3mm Applications •Opticalpowermeter •Gasanalyzer •NIR(nearinfrared)photometr

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

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G5851-13

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InGaAs PIN photodiode

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

HAMAMATSU

详细参数

型号：
G5851-13
制造商：
HAMAMATSU
制造商全称：
Hamamatsu Corporation
功能描述：
InGaAs PIN photodiode

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