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GAL16V8D-10LPN	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPN	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPN	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPN	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 8MC 10NS 20DIP	Lattice Semiconductor Corporation Lattice Semiconductor Corporation	Lattice Semiconductor Corporation
GAL16V8D-10LPNI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPNI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPNI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 8MC 10NS 20DIP	Lattice Semiconductor Corporation Lattice Semiconductor Corporation	Lattice Semiconductor Corporation
GAL16V8D-10LR	文件：293.59 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
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GAL16V8D-10LS	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：395.51 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10QJN	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice

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产品属性

产品编号：
GAL16V8D-10LPN
制造商：
Lattice Semiconductor Corporation
类别：
集成电路（IC） > CPLD（复杂可编程逻辑器件）
系列：
GAL®16V8
包装：
托盘
可编程类型：
EE PLD
供电电压 - 内部：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 75°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
20-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
20-PDIP
描述：
IC CPLD 8MC 10NS 20DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GAL16V8D-10LPN供应商更新时间2024-11-22 22:59:00

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