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GAL18V10	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
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GAL18V10-20LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10-20LP	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-10LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-10LP	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-15LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-15LP	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-20LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-20LP	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-7LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-7LP	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL18V10B-10LP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 10MC 10NS 20DIP	Lattice Semiconductor Corporation Lattice Semiconductor Corporation	Lattice Semiconductor Corporation
GAL18V10B-15LJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：20-LCC（J 形引线）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 10MC 15NS 20PLCC	Lattice Semiconductor Corporation Lattice Semiconductor Corporation	Lattice Semiconductor Corporation
GAL18V10B-15LP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 10MC 15NS 20DIP	Lattice Semiconductor Corporation Lattice Semiconductor Corporation	Lattice Semiconductor Corporation

详细参数

型号：
GAL18V10
制造商：
LATTICE
制造商全称：
Lattice Semiconductor
功能描述：
High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic

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