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GC1310	文件：290.19 Kbytes Page：4 Pages	ENHANCED PERFORMANCE SURFACE MOUNT EPSM PACKAGED DEVICES DESCRIPTION OurEPSMpackageddevicesaredesignedforthemostdemandingcommercialandMilitaryrequirementswheretheinconsistentperformanceinherentinplasticsurfacemountpackagescannotbetolerated.Thesepackagestylesextendthesurfacemountconstructionformatto6GHzforhighper	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC1310	文件：158.2 Kbytes Page：3 Pages	ENHANCED PERFORMANCE SURFACE MOUNT EPSM?줙yperabrupt Varactor Diodes TM	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC1311-154-4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模具类别：分立半导体产品二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）描述：SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
GRF131	文件：1.03423 Mbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTHIGHREPEATABILITYSPDT,BROADBAND18GHZ,40GBPSNON-LATCHINGRFRELAY DESCRIPTION TheultraminiatureSeriesGRF131isdesignedtoprovide apracticalsurface-mountswitching solutionwithRFperformanceandrepeatabilityto 18GHz.TheGRF131improvesonTeledyneRelays’ heritageofminiatureRFrelaysbyincorporatingaprecision transmissionlinestructurein	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
HCX-D131	文件：189.59 Kbytes Page：1 Pages	For76.8V24SLiFePO4BatteryPacks	BESTECHBesTech Power Co., Ltd 百思特百思特电源有限公司	BESTECH
HVC131	文件：22.8 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC131	文件：82.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVC131	文件：31.44 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) Lowforwardresistance.(rf=1.0max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVD131	文件：22.77 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD131	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：23.4 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVU131	文件：77.82 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：31.96 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVU131	文件：187.22 Kbytes Page：1 Pages	LowCapacitanceLowForwardresistance Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
IGCS-E131GP	文件：844.79 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IGPCS-E131GP	文件：789.66 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitPoEEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
INA131	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA131AP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131AP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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详细参数

型号：
GC131
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
ENHANCED PERFORMANCE SURFACE MOUNT EPSM?Hyperabrupt Varactor Diodes TM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市微纳尔电子实业有限公司	GC1311-154-4	Microchip	21+		15000	只做原装	询价
深圳市川蓝电子科技有限公司	GC1311-154-4	microchipdirect	23+		15423	原包装原标现货,假一罚十,	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	GC1320004		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	GC1323		2126+		985	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GC1326	Winchen	23+	SOP16	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GC1326	WINCHEN	23+	SOP16	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	GC1326	Winchen	202172	SOP16	2600	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市云美电子科技有限公司	GC1326	WINCHEN	22+	SOP16	34000	只做原装进口现货	询价
上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）	GC133/C4A8032		2023+		3000	进口原装现货	询价
绿盛电子(香港)有限公司	GC1335	GC	2015+	QFP64LQFP64	19898	专业代理原装现货,特价热卖!	询价

更多GC131供应商更新时间2024-11-22 14:36:00

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