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H11B1-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B1VM	文件：281.06 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurpose6-PinPhotodarlingtonOptocoupler Description The4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1MandTIL113Mhaveagalliumarsenideinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanarphotodarlington. Features ■Highsensitivitytolowinputdrivecurrent ■MeetsorexceedsallJEDECRegisteredSpecifications ■UL,C-ULapproved,Fil	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11B1X	文件：55.92 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTODARLINGTONOUTPUT DESCRIPTION TheH11B_seriesofopticallycoupledisolatorsconsistofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphotodarlingtoninaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES ●Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpartno.	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
HZ11B1	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HZ11B1	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
HZ11B1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZ11B1	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZS11B1	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11B1	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11B1L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KMZ11B1	文件：64.23 Kbytes Page：8 Pages	Magneticfieldsensor DESCRIPTION TheKMZ11B1isasensitivemagneticfieldsensor,employingthemagnetoresistiveeffectofthin-filmpermalloy.Itspropertiesenablethissensortobeusedinawiderangeofapplicationsforcurrentandfieldmeasurement,revolutioncounters,angularorlineardisplacementsensors,	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
KT11B1CM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B1CM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	Internalactuatorsealandinsertmoldedterminals??permitsolderingandcleaning	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B1JM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B1SAM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B1SM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
PZU11B1	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU11B1A	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZU11B1A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
RKZ11B1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
H11B1TM
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
PHOTODARLINGTON OUTPUT, 0.4 INCH LEAD BEND - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市联世界科技有限公司（原深创辉科技）	H11B1V047	MOTOROLA			100	原装正品长期供货，如假包赔包换徐小姐13714450367	询价
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更多H11B1TM供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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