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HFA3128B	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HFA3128B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HFA3128BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HFA3128BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays Features •NPNtransistor(fT)..........................8GHz •NPNcurrentgain(hFE)........................130 •NPNearlyvoltage(VA)........................50V •PNPtransistor(fT)................	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HFA3128BZ96	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HFA3128R	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3128RZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HFA3128RZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	UltraHighFrequencyTransistorArrays Features •NPNtransistor(fT)..........................8GHz •NPNcurrentgain(hFE)........................130 •NPNearlyvoltage(VA)........................50V •PNPtransistor(fT)................	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HMMC-3128	文件：638.86 Kbytes Page：8 Pages	DC-12GHzPackagedHighEfficiencyDivide-by-8Prescaler	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
KA3128	文件：285.74 Kbytes Page：6 Pages	ReflectiveColorSensorAssembly Description: TheOPB780Zcolorsensorusesalight-to-frequencyconverterthatcombines64configurablesiliconphotodiodes(ona144umcenterandmeasuring120umx120umeach),withawhiteLEDinasmall,lightweightpackagethatmakesitidealforusinginminiatureapplications. Features:	Optek OPTEK Technologies	Optek
LPC3128	文件：609.04 Kbytes Page：8 Pages	SMDUnshieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Silverplatedforlowcostdesign •Availableontapeandreelforautosurfacemounting •100RoHScompliantandleadfreewithoutexemption •Halogenfree •REACHcompliant •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues Applic	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LPC3128-HP	文件：609.04 Kbytes Page：8 Pages	SMDUnshieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Silverplatedforlowcostdesign •Availableontapeandreelforautosurfacemounting •100RoHScompliantandleadfreewithoutexemption •Halogenfree •REACHcompliant •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues Applic	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LTC3128	文件：230.29 Kbytes Page：6 Pages	HighEfficiency2-CellSupercapacitorChargerandBalancerConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MS3128	文件：59.97 Kbytes Page：1 Pages	MilitaryStandardConnectorIndex ThefollowingisalistingofcircularconnectorsdefinedbyUSMilitarySpecifications,cross-referencedtotheapplicableactiveorinactivepartnumberseries.ThesymbolsintheConnectorDesignatorcolumnareanessentialelementinGlenair’sbackshellpartnumberdevelopments.	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
NTUD3128N	文件：87.12 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET20V,200mA,DualN-Channel,1.0mmx1.0mmSOT-963Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PST3128	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI

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产品属性

产品编号：
HFA3128B
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
5 PNP
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

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