| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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INTERSILSOP8 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INTERSILSOP-8 |
10053 |
2105+ |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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INTERSIL货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOP-8 |
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深圳硅原半导体有限公司9年
留言
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INTERSILHARRISSOP-8 |
13517 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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INTERSILSOP8 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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INTERSILNA/ |
4050 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INTERSILSOP-8 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
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INTERSISOP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INTERSILSOP |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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只做原装SOP8 |
36520 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
68900 |
INTERSIL |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INTERSILSOP-8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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INTERSILSOP8 |
32700 |
24+ |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IntersilICDRIVERMOSFETDUAL8-SOIC |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INTERSILSOP-8 |
1000 |
22+ |
全新原装现货!自家库存! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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INTERSILSOP8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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INTERSILSOP8 |
10000 |
22+ |
原装正品优势现货供应 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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INTERSILSOP-8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
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INTERSILSOP8-3.9 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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艾睿国际（香港）有限公司5年
留言
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INTERSILSOP8 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
HIP6601BCBZ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HIP6601BCBZ图片
HIP6601BCBZ价格
HIP6601BCBZ价格：￥10.6270品牌：Intersil
生产厂家品牌为Intersil的HIP6601BCBZ多少钱，想知道HIP6601BCBZ价格是多少？参考价：￥10.6270。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HIP6601BCBZ批发价格及采购报价，HIP6601BCBZ销售排行榜及行情走势，HIP6601BCBZ报价。
HIP6601BCBZ中文资料Alldatasheet PDF
更多HIP6601BCBZ功能描述:功率驱动器IC SYNCH-RECT BUCK FET DRVR W/REDUCED POR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6601BCBZA功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6601BCBZA-T功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6601BCBZ-T功能描述:功率驱动器IC SYNCH-RECT BUCK FET DRVR W/REDUCED POR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
HIP6601BCBZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC