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IXGH60N60C3	文件：171.37 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60C3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60C3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 380W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：243.8 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBTs with Diode HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •HighAvalancheCapability •Anti-ParallelUltraFastDiode •InternationalStandardPackages Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement Applications •HighFreque	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXGH60N60C3
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
800µJ（开），450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/70ns
测试条件：
480V，40A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 75A 380W TO247AD

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