| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市科雨电子有限公司5年
留言
|
IXYSSMD |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
|
深圳市科雨电子有限公司5年
留言
|
IXYSSMD |
326 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IXT-1-1N100S1-TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXT-1-1N100S1-TR图片
IXT-1-1N100S1-TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IXT-1-1N100S1-TR功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
产品属性
- 产品编号：
IXT-1-1N100S1-TR
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
1.5A（Tc）
- 描述：
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC