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IGP20N60H3	文件：2.11172 Mbytes Page：14 Pages	Highspeedswitchingseriesthirdgeneration HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoH	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKW20N60H3	文件：1.6484 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IGP20N60H3HK
功能描述：
IGBT 晶体管 Discrete Semiconductor Pr
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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