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INA111AP	文件：241.66 Kbytes Page：14 Pages	High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111AP	文件：245.35 Kbytes Page：11 Pages	High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111APG4	文件：241.66 Kbytes Page：14 Pages	High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111AU	文件：245.35 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111AU	文件：241.66 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111BP	文件：245.35 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111BP	文件：241.66 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111BU	文件：245.35 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA111BU	文件：241.66 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
IPMC-111PB	文件：1.70295 Mbytes Page：4 Pages	IndustrialminitypeEthernettofiberPoEmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IRFE111	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	Motorola Motorola, Inc	Motorola
IRFF111	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF111	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
INA111AP
功能描述：
仪表放大器 High Speed FET-Input Instrumentation Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入补偿电压：
150 V
最大输入电阻：
10 kOhms
共模抑制比（最小值）：
88 dB
工作电源电压：
2.7 V to 36 V
电源电流：
200 uA
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
MSOP-8
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	INA111AP	Texas Instruments	24+	8-DIP(0.300,7.62mm)	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市星佑电子有限公司	INA111AP	BB	42	DIP-8	1356	全新原装绝对自己公司现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	INA111AP	TI	17+	PDIP8	5630	TI一级代理原厂授权渠道实单支持	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	INA111AP	TI/德州仪器	23+	PDIP8	18204	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	INA111AP	TI/德州仪器	21+	PDIP8	1000	原装现货	询价
中科国际电子(深圳)有限公司	INA111AP	TI/德州仪器	22+	DIP8	30000	原厂原装现货	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	INA111AP	DIP8	2027	TI	772	全新原装公司现货	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	INA111AP	TI/德州仪器	23+	PDIP8	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市芯诚实创科技有限公司	INA111AP	BB	2022	DIP8	3415	绝对实际库存	询价
深圳硅原半导体有限公司	INA111AP	BURR-BROWN	23+	DIP	22800	原盒原标,正品现货,诚信经营,假一罚十	询价

更多INA111AP供应商更新时间2024-11-24 15:39:00

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