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IR2213SPBF	文件：439.23 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213SPBF	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2213STRPBF	文件：439.23 Kbytes Page：15 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
K2213ALM	文件：3.51246 Mbytes Page：5 Pages	boxesandancillaryproducts	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
KA2213	文件：153.38 Kbytes Page：8 Pages	1CHIPTAPERECORDERSYSTEM INTRODUCTION TheKA2213isamonolithicintegratedcircuitconsistingofapreamplifier,ALCcircuit,andpoweramplifierina14-pinplasticdual-in-linepackagewithheatsink.	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSR2213	文件：31.49 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R1=2.2KΩ,R2=47KΩ) •ComplementtoKSR1213	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KUWT-2213-B	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWT-2213-B/Q	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWT-2213-C	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWT-2213-C/Q	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
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KUWT-2213-D/Q	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
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KUWTN-2213	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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产品属性

产品编号：
IR2213SPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
12V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，17ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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更多IR2213SPBF供应商更新时间2024-11-22 17:33:00

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