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IRC530PBF	文件：1.30865 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF530	文件：481.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET14AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.140Ω	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
IRF530	文件：157.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
IRF530	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF530	文件：187.75 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：281.94 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL100V-0.115W-14ATO-220LOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-channelenhancementmodePOWERMOSfieldeffecttransistors.EasydriveandveryfastswitchingtimesmakethesePOWERMOStransistorsidealforhighspeedswitchingapplications.ApplicationsincludeDC/DCconverters,UPSbatterychargers,s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：175.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530	文件：192.7 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeSiliconGate TMOSE−FET.™PowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain−to−sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRF530	文件：356.3 Kbytes Page：6 Pages	14.0A100VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF530	文件：153.03 Kbytes Page：3 Pages	14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF530	文件：282.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF530	文件：158.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530	文件：332.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530	文件：579.14 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES LowRDS(on) VGSRatedat ± 20V SiliconGateforFastSwitchingSpeed Rugged LowDriveRequirements DESCRITION Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDC motorcontrols,relayandsolenoiddrivers.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
IRF530A	文件：254.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRC530PBF
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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