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IRF5851	文件：172.54 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET(Vdss = -20 V) Description TheseNandPchannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications.Thi	IRF International Rectifier	IRF
IRF5851PBF	文件：181.6 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description TheseNandPchannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. Th	IRF International Rectifier	IRF
IRF5851TRPBF	文件：255.64 Kbytes Page：14 Pages	Dual N and P Channel MOSFET Description TheseNandPchannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. Th	IRF International Rectifier	IRF
IRF5851TRPBF	文件：2.22638 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISO5851	文件：1.75737 Mbytes Page：34 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5851DW	文件：1.75737 Mbytes Page：34 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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KK5851	文件：305.06 Kbytes Page：7 Pages	PULSEDIALERWITHREDIAL	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KK5851N	文件：305.06 Kbytes Page：7 Pages	PULSEDIALERWITHREDIAL	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KS5851	文件：315.69 Kbytes Page：6 Pages	CMOSINTEGRATEDCIRCUIT	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
LC5851	文件：765.77 Kbytes Page：31 Pages	Small-ScaleControl,MediumSpeedType,On-ChipLCDDriver4-BitSingleChipMicrocomputer Small-ScaleControl,MediumSpeedType,On-ChipLCDDriver4-BitSingleChipMicrocomputer	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC5851N	文件：765.77 Kbytes Page：31 Pages	Small-ScaleControl,MediumSpeedType,On-ChipLCDDriver4-BitSingleChipMicrocomputer Small-ScaleControl,MediumSpeedType,On-ChipLCDDriver4-BitSingleChipMicrocomputer	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MAX5851	文件：446.96 Kbytes Page：18 Pages	Dual,10-Bit,165Msps,Current-OutputDAC	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MJE5851	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5851	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPNPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJE5851	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh−voltage,high−speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.TheyareparticularlysuitedforlineoperatedSWITCHMODEapplications. Features •SwitchingRegulators •Inverters •Solenoidan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5851	文件：114.2 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHMODESeriesPNPSiliconPowerTransistors TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE5851G	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
IRF5851
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)

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更多IRF5851供应商更新时间2024-11-25 14:01:00

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