| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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10000 |
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原装现货,价格优势,欢迎咨询! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
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IRN/A |
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柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
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只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
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6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
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IR(国际整流器)N/A |
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2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳信泰电子器材有限公司10年
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INFINEONSOP8 |
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大量全新原装正品现货,以优势说话 ! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司14年
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
35000 |
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热卖原装正品 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
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InfineonSOP-8 |
10000 |
2301+ |
全新、原装 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRSOP |
13500 |
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免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市长旗科技有限公司1年
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INFINEONSOP-8 |
13330 |
23+ |
原装进口、正品保障、合作持久 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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原装现货假一罚十 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
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型号：IRF7103TRPBF 品牌：IR/国际整流器 批号：2012+ 数量：5000 封装：SOP-8 最小包装：2500 沟道类型：N沟道 最大工作电流：20（mA） 夹断电压：50（V） IRF7103TRPBF是IR/国际整流器推出
IRF7103QTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
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IRF7103IPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7103PBF功能描述:MOSFET 50V DUAL N-CH HEXFET 130mOhms 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7103Q功能描述:MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7103QHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 50V 3A 8PIN SO - Rail/Tube
IRF7103QPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7103QTRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7103TR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7103TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7103TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8