| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
500568 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
500569 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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IRSOIC-8 |
21546 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP-8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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IRSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
700 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSO-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IORSOP |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IRSOP-8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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IORSOP-8 |
5000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 15118075546 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRSOP |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IORSOP8 |
6852 |
1922+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRSOP8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
2560 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
IRF7207采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7207图片
IRF7207中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7207功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7207HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC
IRF7207PBF功能描述:MOSFET 12V -20V 1 P-CH HEXFET 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7207TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7207TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7207TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.4A 60mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube