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IRF720LPBF	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF720PBF	文件：1.60226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF720S	文件：178.37 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF720S	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF720SPBF	文件：974.66 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=400V,RDS(on)=1.8廓,ID=3.3A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRF720SPBF	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF720STRR	文件：372.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF720STRRPBFA	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI720B	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI720G	文件：170.19 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.8ohm,Id=2.6A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI720G	文件：1.52055 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI720G	文件：836.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI720GPBF	文件：1.52055 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI720GPBF	文件：963 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS720	文件：879.14 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS720	文件：270.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS720A	文件：264.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS720B	文件：879.14 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW720	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW720B	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF720LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF720LPBF供应商更新时间2024-11-20 11:34:00

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