| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
159862 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501503 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市中远芯科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
6400 |
10+ |
原装现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司12年
留言
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IRD2-PAK |
9865 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司12年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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OSRAMNA |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-220 |
6400 |
10+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
47200 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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IRBGA672 |
3000 |
新批次 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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IR货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-220 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
2500 |
24+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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2900 |
15+ |
TO-220-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
2900 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
IRL81采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL81图片
IRL81A价格
IRL81A价格：￥2.4231品牌：OSRAM
生产厂家品牌为OSRAM的IRL81A多少钱，想知道IRL81A价格是多少？参考价：￥2.4231。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL81A批发价格及采购报价，IRL81A销售排行榜及行情走势，IRL81A报价。
IRL8113PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL81制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
IRL8113功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL8113L功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL8113LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL8113PBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL8113S功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL8113SPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL8113STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL8113STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL8113STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件