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IRS2609DSPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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KSC2609A	文件：50.96 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyHighFrequencyPowerAmplifier AudioFrequency HighFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSA1220/KSA1220A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LM2609	文件：1.44456 Mbytes Page：6 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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LTC2609CGNTRPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2609IGN	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
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MAX2609	文件：312.47 Kbytes Page：15 Pages	45MHzto650MHz,IntegratedIFVCOswithDifferentialOutput	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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MAX2609EUT	文件：324.77 Kbytes Page：15 Pages	IntegratedIFVCOswithDifferentialOutput	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

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产品属性

产品编号：
IRS2609DSPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
150ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多IRS2609D供应商更新时间2024-11-22 15:07:00

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