选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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Intersil8-SOIC-EP |
3216 |
22+ |
原装正品 价格优势 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IntersilICMOSFETDRVRSYNCBUCK8EPS |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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INTERSIL原装 |
2300 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Intersil8SOICEP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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Renesas Electronics America In8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)裸露 |
9350 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
留言
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IntersilSOIC-8 |
6890 |
2318+ |
长期供货进口原装热卖现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Intersil8-SOIC-EP |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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INTERSILSILSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Intersil8SOICEP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Intersil8SOICEP |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司5年
留言
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INTERSILSOP-8 |
1001 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
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Intersil8-SOIC(0.154 |
3216 |
22+ |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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IntersilICMOSFETDRVRSYNCBUCK8EPS |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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INTERSIL原装 |
2300 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Intersil8SOICEP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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Renesas Electronics America In8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)裸露 |
9350 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
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IntersilSOIC-8 |
6890 |
2318+ |
长期供货进口原装热卖现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
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Intersil8-SOIC-EP |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
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Intersil8SOICEP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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Intersil8SOICEP |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
ISL6613EIBZ采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ISL6613EIBZ图片
ISL6613EIBZT中文资料Alldatasheet PDF
更多ISL6613EIBZ功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
ISL6613EIBZ-T功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:*
产品属性
- 产品编号:
ISL6613EIBZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10.8V ~ 13.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.25A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
26ns,18ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-SOIC-EP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC