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ISPP17N80C3	文件：339.36 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.29Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW17N80C3	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤290mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA17N80C3	文件：983.06 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA17N80C3	文件：340.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.29Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousre	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB17N80C3	文件：326.37 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistorFeaturesnewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB17N80C3	文件：432.09 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB17N80C3	文件：189.55 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP17N80C3	文件：339.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.29Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP17N80C3	文件：983.06 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP17N80C3	文件：1.41387 Mbytes Page：13 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyWorldwidebestRDS(on)inTO220Ultralowgatecharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP17N80C3	文件：401.12 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW17N80C3	文件：683.83 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW17N80C3	文件：257.62 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO247 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW17N80C3	文件：736.98 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW17N80C3	文件：508.49 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW17N80C3	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤290mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW17N80C3A	文件：508.49 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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