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JAN1N5635A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-13 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO13	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
JAN1N5635A/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-13 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：UNI-DIRECTIONAL TVS	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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1N5635	文件：201.32 Kbytes Page：4 Pages	SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors 1N56Series FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Uni-polar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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1N5635A	文件：187.73 Kbytes Page：1 Pages	DO-13PACKAGE-GLASSTOMETALHERMETICALLYSEALED	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
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产品属性

产品编号：
JAN1N5635A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500/500
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
10.2V
电压 - 击穿（最小值）：
11.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
16.7V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
90A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-13（DO-202AA）
描述：
TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO13

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