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K20H603

IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

G20H603

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoH

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多K20H603供应商 更新时间2024-11-22 9:04:00