| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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COMSO/冠DIP |
6200 |
24+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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ON/安森美 |
19 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美DIP4 |
136 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美DIP4 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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OTAXDIP4 |
9800 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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OTAXDIP-12 |
68900 |
24+ |
一站配齐 原盒原包现货 朱S Q2355605126 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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OTAXROHS |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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OTAXROHS |
880000 |
14+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市天芯威科技有限公司4年
留言
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OTAXDIP |
8000 |
22+23+ |
新到现货，只做原装进口 |
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深圳市宏兴瑞科技有限公司2年
留言
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OTAX原装正品现货 |
10000 |
23+ |
DIP |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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OTAXDIP4 |
825 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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OTAXDIP |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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ON/安森美DIP4 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
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ONDIP4 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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OTAXDIP |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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OTAXNA/ |
610 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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OTAX |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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艾睿国际（香港）有限公司5年
留言
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OTAXDIP-4 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
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OTAXDIP4 |
825 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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OTAXDIP |
3550 |
23+ |
原厂原装正品 |
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KSD22图片
KSD22中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD22制造商:OTAX Corporation
KSD2222制造商:Ssac
KSD225AC3制造商:COSMO 制造商全称:COSMO Electronics Corporation 功能描述:Absolute Maximum Ratings
KSD225AC3_11制造商:COSMO 制造商全称:COSMO Electronics Corporation 功能描述:PRODUCT SPECIFICATION
KSD227制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSD227GBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227GTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227GTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227YBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227YTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2