| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司9年
留言
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ONSORIGINAL |
16000 |
24+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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ONSP2N2907AZL1G |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3 长基体(成形 |
9350 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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P2N2907AZL1G图片
P2N2907AZL1G中文资料Alldatasheet PDF
更多P2N2907AZL1G功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
P2N2907AZL1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.6A TO92