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PDI-E818	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 880NM SOT-23	ADVANCEDPHOTONIXAdvanced Photonix, Inc. advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
PT818	文件：462.48 Kbytes Page：5 Pages	CATVAmplifier	SJM SJM Prewell. All Rights Reserved.	SJM
R818	文件：129.33 Kbytes Page：3 Pages	TheHighlycompetitivespeakerwithscreen Features CPU Quad-coreARMCortexTM-A53@1.5GHz 32KBL1I-cache+32KBL1D-cachepercore,512KBL2cache Low-powerCoolFlex™powermanagementarchitecture GPU IMGPowerVRGE8300 SupportOpenGLES3.2，Vulkan1.1，OpenCL1.2 Memory DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3/LPDDR4,32-bitwidth,support4	AllwinnerAllwinner Technology 全志科技珠海全志科技股份有限公司	Allwinner
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S818	文件：366.6 Kbytes Page：23 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR TheS-818SeriesisapositivevoltageregulatordevelopedbyCMOStechnologyandfeaturedbylowdropoutvoltage,highoutputvoltageaccuracyandlowcurrentconsumption. Built-inlowon-resistancetransistorprovideslowdropoutvoltageandlargeoutputcurr	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：366.6 Kbytes Page：23 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR TheS-818SeriesisapositivevoltageregulatordevelopedbyCMOStechnologyandfeaturedbylowdropoutvoltage,highoutputvoltageaccuracyandlowcurrentconsumption. Built-inlowon-resistancetransistorprovideslowdropoutvoltageandlargeoutputcurr	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：525.84 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：487.7 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SA818	文件：122.46 Kbytes Page：2 Pages	SAB5.0THRUSAB28SERIES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SBE818	文件：261.959 Kbytes Page：4 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE818-TL-E	文件：489.74 Kbytes Page：6 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818-TL-E	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：485.03 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode30V,2A,LowVF,Non-MonolithicDualEMH8CommonCathode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：63.42 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyBarrierDiode30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Smallswitchingnoise. •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm). Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SDR818	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIE818DF	文件：192.37 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel75-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIE818DF	文件：192.32 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel75-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR818DP	文件：314.17 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR818DP	文件：508.67 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
PDI-E818
制造商：
Advanced Photonix
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
描述：
EMITTER IR 880NM SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	PDI-E825	ADVANCEDPHOTONIX	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	PDI-E832		24+	N/A	57000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PDI-E840	ADVANCEDPHOTONIXINC	23+	DIPSMD	96440	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多PDI-E818供应商更新时间2024-11-21 18:00:00

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