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PJA3419E	文件：406.52 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET– ESD Protected Features ●RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-3.3A	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3419E_R1_00701	文件：406.52 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET– ESD Protected Features ●RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-3.3A	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SM3419NHQA	文件：679.19 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM3419NHQAC-TRG	文件：679.19 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SQ3419AEEV	文件：297.06 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualifiedc •100RgandUIStested •TypicalESDprotection800V •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ3419AEEV	文件：264.28 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ3419AEEV	文件：271.39 Kbytes Page：12 Pages	AutomotiveP-Channel20V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQ3419CEV	文件：158.85 Kbytes Page：7 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ3419EEV	文件：213.14 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ3419EV	文件：258.829 Kbytes Page：12 Pages	AutomotiveN-Channel60V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQ3419EV	文件：262.089 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ3419EV	文件：271.39 Kbytes Page：12 Pages	AutomotiveP-Channel20V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ3419EV	文件：294.86 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STS3419	文件：501.91 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS3419	文件：114.87 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TLP3419	文件：300.21 Kbytes Page：10 Pages	PhotocouplersPhotorelay Applications •ATE(AutomaticTestEquipment) •High-SpeedLogicICTesters •High-SpeedMemoryTesters •MeasuringInstruments General TheTOSHIBATLP3419isaverysmalloutlinenon-leadedphotorelaysuitableforsurface-mountassembly.The TLP3419consistsofaninfraredLEDoptically	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
UT3419	文件：145.39 Kbytes Page：3 Pages	20V,3.5AP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3419isaP-channelenhancementMOSFETprovidingdesignerswithexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thegatevoltageisaslowas2.5V. TheUTCUT3419canbeappliedinPWMapplicationsorusedasaloadswitch. FEATURES RDS(ON)≤75mΩ@VGS=-10V,ID=-3.5A RDS(ON)≤	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	PJA3419E	PANJIT/强茂	23+	SOT-23	360000	专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低	询价
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更多PJA3419E供应商更新时间2023-2-23 9:30:00

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