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RTM	文件：1.20053 Mbytes Page：2 Pages	M18 Ultra short tubular type Photo sensor	FOTEKFOTEK CONTROLS CO., LTD. 阳明电机阳明电机股份有限公司	FOTEK
RTM002P02	文件：78.57 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Structure SiliconP-channelMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(VMT3). 3)2.5Vdrive.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTM002P02	文件：82.56 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Structure SiliconP-channelMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(VMT3). 3)2.5Vdrive.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTM002P02T2L	文件：82.56 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Structure SiliconP-channelMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(VMT3). 3)2.5Vdrive.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTM010S	文件：355.39 Kbytes Page：2 Pages	Widest range of geometrics and sizes Covers all standard applications. Benefits Widestrangeofgeometricsandsizes Coversallstandardapplications.One toolmeetsalloperationalneeds. ActivetiptechnologyFastestheat-up andrecoverytime,sensorclosetothe soldertip,excellentheattransfer.No downtime,continuingworkflow, excellentresults Digit	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RTM2301CX	文件：465.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RTM2302	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
RTM2302CX	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
RTMBF305	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF31	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF310	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF32	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF34	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF36	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF38	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication Features LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF805	文件：284.73 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Features HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF81	文件：284.73 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Features HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF810	文件：284.73 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Features HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF82	文件：284.73 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Features HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RTMBF84	文件：284.73 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Features HighSurgeCurrentCapability GlassPassivatedDieConstruction DesignedforSurfaceMountApplication LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMaterial–ULFlammability94V-O	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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晶体管资料

型号：
RTM1005
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
绝缘
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSTD1026M,BT152/400R,2N6504,2N6505,2N6506,2N6507,2N6508,2N6509,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
50
htest：
999900
atest：
10
wtest：
0

详细参数

型号：
RTM
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
2.5V Drive Pch MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福安瓯科技有限公司	RTM680-256	RMC	22+	SSOP48	2500	强调现货,随时查询!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	RTM362-205	NS	23+	原厂封装	9823		询价
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深圳市星佑电子有限公司	RTM860-409	REALTEK	03/04+	SSOP56	56	全新原装100真实现货供应	询价
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深圳市粤科源兴科技有限公司	RTM-6000TMC		13+	LGA	7258	原装分销	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	RTM501606/03(16.128MHZ)	TOKYO	24+	1000PCS/REEL	2000	原装进口现货/只做原装	询价
深圳市一线半导体有限公司	RTM862-430		24+	SOP	26		询价

更多RTM供应商更新时间2024-11-28 15:46:00

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