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RF2306	文件：59.56 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ProductDescription TheRF2306isageneralpurpose,lowcostRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2306PCBA	文件：59.56 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ProductDescription TheRF2306isageneralpurpose,lowcostRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RM2306E	文件：539.58 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET,ESDProtected FEATURES RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2306	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RSZ-2306	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2306HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
S2306	文件：951.9 Kbytes Page：13 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SE2306	文件：375.07 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
SE2306	文件：1.01367 Mbytes Page：6 Pages	LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SGM2306	文件：486.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SGM2306A	文件：1.00561 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SGM2306A	文件：399.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SI2306	文件：473.71 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
SI2306	文件：201.59 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SI2306	文件：283.27 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SI2306	文件：395.11 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
SI2306A	文件：1.58301 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
SI2306A	文件：1.48218 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2306BDS	文件：217.43 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2306BDS	文件：112.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
RF2306
制造商：
RFMD
制造商全称：
RF Micro Devices
功能描述：
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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