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STB11NB40中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB11NB40
厂商型号

STB11NB40

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

文件大小

102.4 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-22 20:00:00

STB11NB40规格书详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

FEATURES SUMMARY

■ TYPICAL RDS(on) = 0.48 Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

产品属性

  • 型号:

    STB11NB40

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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