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STD3NK90ZT4	文件：662.23 Kbytes Page：20 Pages	N-channel 900 V, 4.1 廓 typ., 3 A Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-220FP packages DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchser	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK90ZT4	文件：613.22 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH?줡ower MOSFET DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchser	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK90ZT4	文件：354.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD3NK90ZT4	文件：563.35 Kbytes Page：24 Pages	N-channel 900 V, 3.6 Ω typ., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-220FP packages Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH™technologybySTMicroelectronics,an optimizationofthewell-establishedPowerMESH™.Inadditiontoasignificant reductioninon-resistance,thesedevicesaredesignedtoensure	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK90ZT4_V01	文件：563.35 Kbytes Page：24 Pages	N-channel 900 V, 3.6 Ω typ., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-220FP packages Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH™technologybySTMicroelectronics,an optimizationofthewell-establishedPowerMESH™.Inadditiontoasignificant reductioninon-resistance,thesedevicesaredesignedtoensure	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD3NK90ZT4
功能描述：
MOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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