| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市亿智腾科技有限公司5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市亿智腾科技有限公司5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市亿智腾科技有限公司5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IR原厂原装 |
6316 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司13年
留言
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IORSOP-8P |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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IRFSOP-8P |
100 |
24+ |
现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司5年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司5年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司5年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司5年
留言
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INFINEON-英飞凌SOP-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司5年
留言
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INFINEON-英飞凌SOP-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRFSOP-8 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IORSOP-8 |
58970 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市科雨电子有限公司5年
留言
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INFINEONSOP-8 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IRF7207采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7207图片
IRF7207中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7207功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7207HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC
IRF7207PBF功能描述:MOSFET 12V -20V 1 P-CH HEXFET 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7207TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7207TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7207TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.4A 60mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube