| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）10年
留言
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3000 |
2023+ |
进口原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP-8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
留言
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N/A |
64000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
留言
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N/A |
73000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
留言
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N/A |
72000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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67075 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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67070 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市恒诺芯科技有限公司3年
留言
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NA |
33220 |
2322+ |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
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深圳市恒诺芯科技有限公司3年
留言
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NA |
33220 |
2322+ |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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INFORIGINAL |
25800 |
22+ |
原装正品,品质保证,值得你信赖. |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NSO-8 |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NSO-8 |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市德力诚信科技有限公司11年
留言
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INFINEONcon |
100 |
24+ |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格https://www.jbchip.com/index |
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深圳市德力诚信科技有限公司11年
留言
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INFINEONcon |
100 |
24+ |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格https://www.jbchip.com/index |
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深圳市达恩科技有限公司10年
留言
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InfineonNA |
3000 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
IRF7389采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF7389PBF价格
IRF7389PBF价格：￥2.4722品牌：INTERNATIONAL
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IRF7389TRPBF资讯
IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7389功能描述:MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7389PBF功能描述:MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7389PBF-EL制造商:International Rectifier
IRF7389TR功能描述:MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7389TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube