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STTA506F	文件：90.79 Kbytes Page：10 Pages	TURBOSWITCH E ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE DESCRIPTION TheTURBOSWITCHisaveryhighperformanceseriesofultra-fasthighvoltagepowerdiodesfrom 600Vto1200V.TURBOSWITCHfamily,drasticallycutslossesinboththediodeandtheassociatedswitchingIGBTorMOSFETinall”freewheelmode”operationsandisparticularlysuitable	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506B	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506B	文件：324.07 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryRectifier FEATURES ·UltrafastRecoveryTime ·LowForwardVoltage ·LowLeakageCurrent ·175℃OperatingJunctionTemperature ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies ·Powerswitchingcircuits ·Generalpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STTH506B	文件：401.36 Kbytes Page：2 Pages	5.0AmpereSurfaceMountSinglePositiveTypeUltraFastRecoveryRectifierDiode Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPower	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
STTH506B-TR	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506D	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506DTI	文件：50.09 Kbytes Page：5 Pages	Tandem600VHYPERFASTBOOSTDIODE DESCRIPTION TheTURBOSWITCH“H”isanultrahighperformancediodecomposedoftwo300Vdiceinseries.TURBOSWITCH“H”familydrasticallycutslossesintheassociatedMOSFETwhenrunathighdIF/dt. ■ESPECIALLYSUITEDASBOOSTDIODEINCONTINUOUSMODEPOWERFACTORCORRECTORSANDHARDSWITCHIN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506FP	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STTH506TTI	文件：58.26 Kbytes Page：5 Pages	Tandem600VHYPERFASTRECTIFIER DESCRIPTION TheTURBOSWITCH“H”isanultrahighperformancediodecomposedoftwo300Vdiceinseries.TURBOSWITCH“H”familydrasticallycutslossesintheassociatedMOSFETwhenrunathighdIF/dt. FEATURESANDBENEFITS ■ESPECIALLYSUITEDASBOOSTDIODEINCONTINUOUSMODEPOWERFACTORCORRE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SUR506EF	文件：256.01 Kbytes Page：5 Pages	EpitaxialplanarPNPsilicontransistor Descriptions •Dualchipdigitaltransistor Features •TwoSRA2205chipsinSOT-563Fpackage •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SUR506EF	文件：121.91 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarTypePNPSiliconTransistor Descriptions •Digitaltransistor Features •TwoSRA2205chipsinSOT-563Fpackage •Withbuilt-inbiasresistors	AUK AUK corp	AUK
SVND-M506GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
SZ506C	文件：43.7 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ506C	文件：309.003 Kbytes Page：2 Pages	3W6.2VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SZ506C	文件：309.921 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SZ506C	文件：47.89 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ506I	文件：43.7 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ506I	文件：309.003 Kbytes Page：2 Pages	3W6.8VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SZ506I	文件：309.921 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

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详细参数

型号：
STTA506F
功能描述：
整流器 600V 5A
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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