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SZMMBZ12VALT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBZ12VALT1G	文件：383.64 Kbytes Page：9 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBZ12VALT1	文件：70.23 Kbytes Page：8 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ12VALT1G	文件：148.56 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiodes,24and40WattPeakPower	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ12VALT1G	文件：142.61 Kbytes Page：7 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBZ12VALT1G	文件：546.82 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeZenersforESDProtection DESCRIPTION ThedualmonolithicsiliconZenerdiodesaredesignedforapplicationsrequiringtransientovervoltageprotectioncapability.TheyareintendedforuseinvoltageandESDsensitiveequipmentsuchascomputers,printers,businessmachines,communicationsystems,medicalequipmentando	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
MMBZ12VALT1G	文件：960.42 Kbytes Page：4 Pages	TVSDiodeArray	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMBZH12VALT1G	文件：135.85 Kbytes Page：7 Pages	ZenerDiodes,24and40WattPeakPowerSOT??3DualCommonAnodeZeners	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SZMMBZ12VALT1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8.5V
电压 - 击穿（最小值）：
11.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
17V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2.35A
功率 - 峰值脉冲：
40W
电源线路保护：
无
应用：
汽车级
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3

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更多SZMMBZ12VALT1G供应商更新时间2024-11-24 14:14:00

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