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深圳市斌能达电子科技有限公司

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SI2305

FOSAN/富信SOT-23

2000

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全新原装深圳仓库现货有单必成

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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SI2305

VISHAY/威世SOT-23

1411

2023+

代理库存现货供应,正品全新

深圳市拓亿芯电子有限公司

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SI2305

VISHAY/威世SOT-23

15000

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只做进口原装假一罚百

深圳市长旗科技有限公司

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SI2305CDS-T1-GE3

VISHAYSOT23-3

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原装进口、正品保障、合作持久

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI2305DS-T1-E3

VISHAYN/A

70000

2024+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市明嘉莱科技有限公司

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SI2305A5SHB

CJ/长晶SOT23

157454

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明嘉莱只做原装正品现货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI2305CDS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

35000

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:¥0.888

热卖原装正品

深圳市汇莱威科技有限公司

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SI2305DS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

502000

24+

免费送样原盒原包现货一手渠道联系

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHAYSOT-23-3

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

39000

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只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市芯祺盛科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

10053

2105+

深圳市纳艾斯科技有限公司

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VISHAY/威世原厂原装正品

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市昂芯微科技有限公司

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VISHAYNA

6800

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只做原装正品现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世SOT23

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市博浩通科技有限公司

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SILICNIX进口原装

8811

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全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货

深圳市高捷芯城科技有限公司

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VISHAY(威世)SOT-23

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23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市跃创芯科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

60000

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绝对原装正品现货,假一罚十

深圳市勤思达科技有限公司

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VISHAY/

18508

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全新原装正品,现货销售

深圳市天芯威科技有限公司

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VISHAY(威世)N/A

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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威世

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SI2305DS价格:¥0.4550品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI2305DS多少钱,想知道SI2305DS价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI2305DS批发价格及采购报价,SI2305DS销售排行榜及行情走势,SI2305DS报价。

SI2305CDS资讯

SI2305CDS-T1-GE3

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SI2305,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

SI2305CDS-T1-GE3

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SI2305功能描述:20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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Si2305ADS-T1-E3功能描述:MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2305ADS-T1-GE3功能描述:MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2305CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V(D-S) MOSFET

SI2305CDS_13制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V(D-S) MOSFET

Si2305CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2305DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.25-W, 1.8-V(G-S) MOSFET

SI2305DS-T1功能描述:MOSFET 8V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2305DS-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube